Структурные особенности и электрофизические свойства гетероструктуры n-GaAs–p-(ZnSe)1–x–y(Ge2)x(GaAs1–δBiδ)y c различными наноразмерными включениями

В статье представлены экспериментальные результаты исследования структурных иэлектрофизических свойств гетероструктуры n-GaAs–p-(ZnSe)1–x–y(Ge2)x(GaAs1–δBiδ)y сразличными нановключениями, полученной методом жидкофазной эпитаксии. На осно-ве рентгеновского микрозондового и структурного анализа определён профиль распре-деления компонентов ZnSe, Ge2 и GaAs1–δBiδ в эпитаксиальном слое с постепенным из-менением состава по глубине. Установлено формирование нанокристаллов Ge2 и кван-товых ям GaAs1–δBiδ, обуславливающих уникальные фотоэлектрические свойства иссле-дуемой гетероструктуры. Определены механизмы переноса заряда в зависимости от на-правления протекания тока, выявлен критерий преобладания дрейфового механизма пе-реноса заряда над диффузионным.

Hali tarjima qilinmagan