Maqola

p-type doping of Ge by Al ion implantation and pulsed laser melting

Ruggero MilazzoINFN Laboratori Nazionali di Legnaro, ItalyM. LinserDipartimento di Fisica e Astronomia “Galileo Galilei”, Università di Padova, Via Marzolo 8, 35131 Padova, ItalyG. ImpellizzeriCNR-IMM, Via S. Sofia 64, 95123 Catania, ItalyD. ScarpaINFN Laboratori Nazionali di Legnaro, ItalyMarco GiarolaCentro Piattaforme Tecnologiche, Università di Verona, Ple. L.A. Scuro 10, 37134 Verona, ItalyAndrea SansonDipartimento di Fisica e Astronomia “Galileo Galilei”, Università di Padova, Via Marzolo 8, 35131 Padova, ItalyG. MariottoDipartimento di Informatica, Università di Verona, Ple. L.A. Scuro 10, 37134 Verona, ItalyA. AndrighettoINFN Laboratori Nazionali di Legnaro, ItalyA. CarneraDipartimento di Fisica e Astronomia “Galileo Galilei”, Università di Padova, Via Marzolo 8, 35131 Padova, ItalyE. NapolitaniCNR-IMM, Via S. Sofia 64, 95123 Catania, Italy

2019en

ABI

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Identifikatorlar

DOI: 10.1016/j.apsusc.2019.145230

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