Asosiy kontentga oʻtish
AkademIndex

Mahsulotlar

Ishlab chiquvchilar uchun

AkademBaseEkotizim uchun ochiq API
← Ishga qaytish

Ushbu ish iqtibos qilgan ishlar

27 ta ish

Ish: Positron probing of open vacancy volume of phosphorus‐vacancy complexes in float‐zone n‐type silicon irradiated by 0.9‐MeV electrons and by 15‐MeV protons

  1. Positron Annihilation in Semiconductors

    R. Krause‐Rehberg, Hartmut S. Leipner

    Kitob19996 iqtibos
    ABI
  2. Atomic Environment of Positrons Annihilating in HT Cz-Si Crystal

    N.Yu. Arutyunov, V. V. Emtsev

    Maqola20053 iqtibos
    ABI
  3. Stability of large vacancy clusters in silicon

    Torsten E.M. Staab, A. Sieck, M. Haugk +3

    Maqola20022 iqtibos
    ABI
  4. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI
  5. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI
  6. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI
  7. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI
  8. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI
  9. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI
  10. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI
  11. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI