Article

Эффект инжекционного обеднения в p-Si-n-(Si-=SUB=-2-=/SUB=-)-=SUB=-1-x-=/SUB=-(ZnSe)-=SUB=-x-=/SUB=- (0&le; x&le;0.01) гетероструктуре

А. С. СаидовФизико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, УзбекистанА.Ю. ЛейдерманSh. N. UsmonovФизико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, УзбекистанK. A. AmonovФизико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан

Физика и техника полупроводниковjournal2018en

ABI

Abstract

AbstractThe current–voltage characteristics of p -Si– n -(Si_2)_1 –_ x (ZnSe)_ x (0 ≤ x ≤ 0.01) heterostructures are studied at various temperatures. It is found that the current–voltage characteristics of such structures contain a portion of a sublinear increase in the current with voltage such as V = V _0 exp( Jad ). The concentrations of deep impurities responsible for the appearance of the sublinear portion in the current–voltage characteristic are estimated. The experimental results are explained based on the theory of the injection depletion effect.

Topics

Silicon Nanostructures and Photoluminescence Semiconductor materials and interfaces Silicon and Solar Cell Technologies

Identifiers

DOI: 10.21883/ftp.2018.09.46154.8706

Citations and references

Cited by 00 references

Metrics — AkademScholar · Coming soon

Эффект инжекционного обеднения в p-Si-n-(Si-=SUB=-2-=/SUB=-)-=SUB=-1-x-=/SUB=-(ZnSe)-=SUB=-x-=/SUB=- (0&amp;le; x&amp;le;0.01) гетероструктуре

Abstract

Topics

Identifiers

Citations and references

Эффект инжекционного обеднения в p-Si-n-(Si-=SUB=-2-=/SUB=-)-=SUB=-1-x-=/SUB=-(ZnSe)-=SUB=-x-=/SUB=- (0≤ x≤0.01) гетероструктуре