Работы, цитирующие эту работу

Работ: 2

Работа: Interstitial mechanism of the low-temperature gold migration in silicon

1. Influence of structure defects on the radiation enhanced gold diffusion in silicon

   A. I. Koifman, N. Narkulov, Marat S. Yunusov

   СтатьяSilicon and Solar Cell Technologiesphysica status solidi (a)1975Цитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.655288

2. The low-temperature doping of silicon by radiation-induced diffusion

   A. I. Koifman, A. N. Narkulov, Б. Л. Оксенгендлер +1

   СтатьяSilicon and Solar Cell Technologiesphysica status solidi (a)1976Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/1976.article.000045