Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 7

Работа: The low-temperature doping of silicon by radiation-induced diffusion

1. <i>Point Defects in Metals</i>

   Arthur Damask, G. J. Dienes, R. Smoluchowski

   Статья1964Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.390562

2. A new mechanism for interstistitial migration

   J. C. Bourgoin, J. W. Corbett

   Статья1972Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.624020

3. Interstitial mechanism of the low-temperature gold migration in silicon

   M. A. Kaneev, A. I. Koifman, O. R. Niyazova

   СтатьяSilicon and Solar Cell Technologiesphysica status solidi (a)1973Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/1973.article.000018

4. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.655286

5. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.655287

6. Influence of structure defects on the radiation enhanced gold diffusion in silicon

   A. I. Koifman, N. Narkulov, Marat S. Yunusov

   СтатьяSilicon and Solar Cell Technologiesphysica status solidi (a)1975Цитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.655288

7. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.655289