Статья

Parameters of silicon microdiodes fabricated by selective epitaxy

M. V. DrozdovaA.F. Ioffe Physicotechnical Institute, Leningrad, U.S.S.RВ. Л. СухановA.F. Ioffe Physicotechnical Institute, Leningrad, U.S.S.RV.V. TuchkevichA.F. Ioffe Physicotechnical Institute, Leningrad, U.S.S.RN.M. SchmidtA.F. Ioffe Physicotechnical Institute, Leningrad, U.S.S.RB. YavichA.F. Ioffe Physicotechnical Institute, Leningrad, U.S.S.R

Thin Solid Filmsjournal1976en

ABI

Аннотация

Аннотация отсутствует.

Темы

Silicon and Solar Cell Technologies Thin-Film Transistor Technologies Integrated Circuits and Semiconductor Failure Analysis

Идентификаторы

DOI: 10.1016/0040-6090(76)90041-9

Цитирования и источники

Цитирований: 0Использованных источников: 3

Показатели — AkademScholar · Скоро