Статья

Ion doping of gallium arsenide

П. В. ПавловPhysicotechnical Research Institute at the N. I. Lobachevskii State University, GorkiE. I. ZorinPhysicotechnical Research Institute at the N. I. Lobachevskii State University, GorkiD. I. TetelbaumPhysicotechnical Research Institute at the N. I. Lobachevskii State University, Gorki

Russian Physics Journaljournal1980en

ABI

Аннотация

Аннотация отсутствует.

Темы

Phase-change materials and chalcogenides Semiconductor Quantum Structures and Devices Advanced Semiconductor Detectors and Materials

Идентификаторы

DOI: 10.1007/bf00895766

Цитирования и источники

Цитирований: 0Использованных источников: 64

Показатели — AkademScholar · Скоро