Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 11

Работа: Ion-Molecular Epitaxy

1. Epitaxial growth of silicon assisted by ion implantation

   Tadatsugu Itoh, Tohru Nakamura

   Статья1971Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.647999

2. The Mechanism of Silicon Epitaxial Layer Growth from Ion-Molecular Beams

   L. N. Aeksandrov, A. S. Ltovich, E. D. Blorusets

   СтатьяAdvanced Materials Characterization Techniquesphysica status solidi (a)1979Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.605778

3. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.913504

4. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.913505

5. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.913506

6. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.913507

7. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.913508

8. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.913509

9. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.913510

10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.913511

11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.913512