Статья

Electrical properties of p-type ZnGeP2 irradiated by H+ ions

V. N. Brudnyı̆V. D. Kuznetsov Siberian Physicotechnical Institute at the State University, TomskV. A. NovikovV. D. Kuznetsov Siberian Physicotechnical Institute at the State University, Tomsk

Russian Physics Journaljournal1991en

ABI

Аннотация

Аннотация отсутствует.

Темы

Semiconductor materials and interfaces Chalcogenide Semiconductor Thin Films

Идентификаторы

DOI: 10.1007/bf00898592

Цитирования и источники

Цитирований: 0Использованных источников: 2

Показатели — AkademScholar · Скоро