Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 5

Работа: High-temperature high-dose implantation of N+ and Al+ ions in 6H-SiC

1. Theory of Radiation

   J.C. Gunn

   Статья1955Цитирований: 5

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.534369

2. Computer simulation of the sputtering of polyatomic multilayered materials with consideration of the spatial overlapping of the collision cascades

   Yu. V. Trushin, B.Ja. Ber, Vladimir S. Kharlamov +1

   Статья1996Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.608612

3. Molecular dynamics calculations of defect energetics in β-SiC

   Hanchen Huang, Nasr M. Ghoniem

   Статья1994Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.608614

4. Formation of Buried Layers of (SiC)_1-x(AINT)_x in 6H-SiC Using Ion-Beam Synthesis

   R.A. Yankov, N. Hatzopoulos, W. Fukarek +4

   Статья1996Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.608615

5. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.608613