Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 6

Работа: Effect of the degree of compensation of sulfur impurity levels on the photoconductivity of silicon near 10.6 µm

1. The electrical properties of sulphur in silicon

   S. D. Brotherton, Micháel J. King, G.J. Parker

   Статья1981Цитирований: 6

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.659553

2. EFFECT OF RADIATION ON SEMICONDUCTORS

   J. C. Pigg

   Статья1957Цитирований: 4

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.109767

3. Influence of Hydrostatic Pressure and Temperature on the Deep Donor Levels of Sulfur in Silicon

   D. L. Camphausen, Howard James, R. J. Sladek

   Статья1970Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.609366

4. Highly excited states of donor centres in silicon

   B. Pajot, Günter Grossmann, M. Astier +1

   Статья1985Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.659551

5. Spectroscopy of the neutral sulphur-related centres in silicon

   B. Pajot, C. Naud

   Статья1984Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.659552

6. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.666710