Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 2

Работа: Characterisation of the generation of ions in electron beam evaporator for the control of metal deposition processes

1. The Mechanism of Silicon Epitaxial Layer Growth from Ion-Molecular Beams

   L. N. Aeksandrov, A. S. Ltovich, E. D. Blorusets

   СтатьяAdvanced Materials Characterization Techniquesphysica status solidi (a)1979Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.605778

2. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.605779