Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 6

Работа: Gettering Effect with Al Implanted into 4H-SiC CVD Epitaxial Layers

1. High-dose Al-implanted 4H-SiC p+-n-n+ junctions

   E. V. Kalinina, G. Kholujanov, В. Н. Соловьев +11

   Статья2000Цитирований: 4

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.534891

2. Ion Implantation - Tool for Fabrication of Advanced 4H-SiC Devices

   Evgenia V. Kalinina, G. Kholuyanov, Yu. A. Goldberg +8

   СтатьяSilicon Carbide Semiconductor TechnologiesMaterials science forum2002Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.603414

3. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.603410

4. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.603411

5. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.603412

6. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.603413