IR-radiating diodes made of GaAs by liquid-phase epitaxy and gas-phase Zn doping
А. КутлимратовPhysical-Technical Institute AS RU, Tashkent (Uzbekistan)
2004en
ABI
Аннотация
Аннотация отсутствует.
Темы
Цитирования и источники
Цитирований: 0Использованных источников: 0