Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 9

Работа: Silicon Doped with Sulfur as a Detector Material for High Speed Infrared Image Converters

1. Excited states at deep centers in Si:S and Si:Se

   H. G. Grimmeiss, B. Skarstam

   Статья1981Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.609359

2. Influence of Hydrostatic Pressure and Temperature on the Deep Donor Levels of Sulfur in Silicon

   D. L. Camphausen, Howard James, R. J. Sladek

   Статья1970Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.609366

3. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.609358

4. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.609360

5. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.609361

6. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.609362

7. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.609363

8. An ionization-type Si:S-based semiconductor converter of infrared images with sensitivity in the spectral range of CO2-laser radiation

   V. T. Tulanov, Kh. B. Siyabekov, A.Sh. Davletova +1

   СтатьяLaser Design and ApplicationsSemiconductors2001Цитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.609364

9. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.609365