Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 7

Работа: Radiation Hard Devices Based on SiC

1. Deep Defect Centers in Silicon Carbide Monitored with Deep Level Transient Spectroscopy

   T. Dalibor, Gerhard Pensl, H. Matsunami +4

   Статья1997Цитирований: 5

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.155792

2. Epitaxial silicon carbide charge particle detectors

   F. Nava, P. Vanni, C. Lanzieri +1

   Статья1999Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.528200

3. Development of a silicon carbide radiation detector

   F.H. Ruddy, A.R. Dulloo, J.G. Seidel +2

   Статья1998Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.604912

4. Energy dependence of electron damage and displacement threshold energy in 6H silicon carbide

   A.L. Barry, B. Lehmann, Daniel Fritsch +1

   Статья1991Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.218806

5. Optical and electrical properties of 4H-SiC irradiated with fast neutrons and high-energy heavy ions

   E. V. Kalinina, G. Kholuyanov, Grigory Onushkin +7

   Статья2004Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.652946

6. High Energy Resolution Detectors Based on 4H-SiC

   Alexander M. Ivanov, Evgenia V. Kalinina, G. Kholuyanov +5

   СтатьяParticle Detector Development and PerformanceMaterials science forum2005Цитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2005.article.000096

7. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.652947