← Назад к работе
Работы, на которые ссылается эта работа
Работ: 15
Работа: Multi-Scale Simulation of MBE-Grown SiC/Si Nanostructures
Status of silicon carbide (SiC) as a wide-bandgap semiconductor for high-temperature applications: A review
Обзорная статья1996Цитирований: 4ABIErratum: Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials for multicomponent systems
Другое1990Цитирований: 2ABIModeling solid-state chemistry: Interatomic potentials for multicomponent systems
Статья1989Цитирований: 2ABIInvestigation of the nucleation and growth of SiC nanostructures on Si
F. Scharmann, P. Maslarski, W. Attenberger +4
Статья2000Цитирований: 2ABI