Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 9

Работа: Photophysical characteristics of microlayer photodiode pAlGaInAs(Zn)-nGaAs-Au structures

1. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1117

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.000713

2. Без названия

   ДругоеЦитирований: 8

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.545705

3. Physics of semiconductor devices

   Статья1990Цитирований: 6

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.614904

4. Three-junction Au/AlGaAs(n)/GaAs(p)/Ag photodiode

   A. V. Karimov, D. A. Karimova

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesMaterials Science in Semiconductor Processing2003Цитирований: 5

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2003.article.000100

5. InGaAsP heterostructure avalanche photodiodes with high avalanche gain

   Katsuhiko Nishida, K. Taguchi, Yoshishige Matsumoto

   Статья1979Цитирований: 5

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.534518

6. Heterostructure Lasers

   H. C. Casey, M. B. Panish, T. A. Roth

   Статья1979Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.655042

7. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.655039

8. AFM and XRD studies of GaAs surface after anisotropic etching

   N. L. Dmitruk, V.P. Kladko, Р. В. Конакова +1

   СтатьяOptical Coatings and GratingsThe European Physical Journal Applied Physics2004Цитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.655040

9. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.655041