Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 10

Работа: Effect of different chemical treatments of surface on the height of Al-p-SiGe and Au-n-SiGe barriers

  1. Physics of Semiconductor Devices

    J.-P. Colinge, Cindy Colinge

    Книга2002Цитирований: 58
    ABI

  2. Physics of Semiconductor Devices

    Samarth Jain, S. Radhakrishna

    Статья1987Цитирований: 15
    ABI

  3. Surface barrier detectors using aluminum on n- and p-type silicon for α-spectroscopy

    H. Rahab, A. Keffous, H. Menari +3

    Статья2001Цитирований: 3
    ABI

  4. Barrier heights and silicide formation for Ni, Pd, and Pt on silicon

    G. Ottaviani, K. N. Tu, J. W. Mayer

    Статья1981Цитирований: 2
    ABI

  5. Metal–semiconductor junctions on <i>p</i>-type strained Si1−<i>x</i>Ge<i>x</i> layers

    Omer Nur, M. Willander, Raşit Turan +2

    Статья1996Цитирований: 2
    ABI

  6. Fabrication and characterization of Au/n-Si photodiode with lithium as back-surface-field

    A. Keffous, Marwa Zitouni, Y. Belkacem +2

    Статья2002Цитирований: 2
    ABI

  7. Sputtered gold as an effective Schottky gate for strained Si∕SiGe nanostructures

    G. D. Scott, M. Xiao, H. W. Jiang +2

    Статья2007Цитирований: 2
    ABI

  8. Modification of Al/Si interface and Schottky barrier height with chemical treatment

    Zs. J. Horváth, M. Ádám, I.A. Szabó +2

    Статья2002Цитирований: 2
    ABI

  9. Electron-Hole Recombination in Germanium

    R. N. Hall

    Статья1952Цитирований: 2
    ABI

  10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 2
    ABI