Determination of the surface state density on the semiconductor-dielectric interface in the structures Al-SiO 2 -Si and Al-SiO 2 -n-Si at low temperature
G. GulyamovИ. Н. КаримовN. Yu. SharibaevУ. И. ЭркабоевNamangan pedagogical-engineering Institute, Namangan (Uzbekistan)
ABI
Аннотация
Аннотация отсутствует.
Темы
Цитирования и источники
Цитирований: 0Использованных источников: 0
Показатели — AkademScholar · Скоро