Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 4

Работа: Electrophysical and photoelectric characteristics of a three-barrier photodiode GaAs structure

1. Highly sensitive photodetector based on ge double-barrier punch-through structure

   O. A. Abdulkhaev, D. M. Yodgorova, A. V. Karimov +1

   СтатьяSemiconductor Quantum Structures and DevicesTechnology and design in electronic equipment2015Цитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2015.article.000359

2. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.675107

3. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.675108

4. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.675109