Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 2

Работа: ABOUT THE SILICON SENSITIVITY OF THE DEEP LEVEL WITH ALTERNATING PRESSURE

1. On the tensosensitivity of a p-n junction under illumination

   G. Gulyamov, A. G. Gulyamov

   СтатьяOptical Polarization and EllipsometrySemiconductors2015Цитирований: 10

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.410276

2. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.675143