Area-selective Ru ALD by amorphous carbon modification using H plasma: from atomistic modeling to full wafer process integration
Ivan ZyulkovB-3001 LeuvenЕ. Н. ВоронинаFaculty of PhysicsMikhail KrishtabB-3001 LeuvenD. G. VoloshinGSP-1Boon Teik ChanB-3001 LeuvenYu. A. MankelevichGSP-1Т. В. РахимоваGSP-1Silvia ArminiB-3001 LeuvenStefan De GendtB-3001 Leuven
ABI
Аннотация
Selective ALD of Ru on Si-based materials with simultaneous ALD inhibition on the amorphous carbon surface enabled by remote H plasma.
Темы
Идентификаторы
Цитирования и источники
Цитирований: 0Использованных источников: 26
Показатели — AkademScholar · Скоро