Работы, цитирующие эту работу

Работ: 3

Работа: Anisotropy of Negative Magnetoresistance in GaMnAs Epitaxial Layers

1. The Effect of Negative Magnetoresistance in Silicon to Create Multifunctional Sensors

   М. К. Бахадырханов, Х. М. Илиев, Г. Х. Мавлонов +2

   СтатьяMagnetic Field Sensors TechniquesTechnical Physics Letters2022Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2022.article.006618

2. Anisotropy of Carrier Transport Processes in GaMnAs Grown via Low Temperature Molecular Beam Epitaxy

   A. S. Gazizulina, Aslan Nasirov, P.B. Parchinskiy

   СтатьяZnO doping and properties2022Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2022.article.011234

3. Effect of Be Co-Doping on Anisotropy of Magnetoresistance in GaMnAs Epitaxial Layers

   P. B. Parchinskiy, A. S. Gazizulina, Aslan Nasirov

   СтатьяZnO doping and propertiesRussian Physics Journal2023Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2023.article.004831