DEEP LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY OF DEFECTS IN SILICON MULTILAYER STRUCTURES DOPED WITH HAFNIUM ATOMS
Shakhrukh Kh. DalievNational University of UzbekistanJavokhir A. ErgashevResearch Institute of semiconductor physics and microelectronics
ABI
Аннотация
Аннотация отсутствует.
Темы
Идентификаторы
Цитирования и источники
Цитирований: 0Использованных источников: 0
Показатели — AkademScholar · Скоро