Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 8

Работа: Features of the Electrical Properties of Heterojunctions n-GaAs-p-(GaAs)1 - x - у(Ge2)x(ZnSe)y

1. Liquid-phase epitaxy of solid solutions (Ge2)1−x(ZnSe)x

   А. С. Саидов, A. Sh. Razzakov, V.A. Risaeva +1

   СтатьяChalcogenide Semiconductor Thin FilmsMaterials Chemistry and Physics2001Цитирований: 25

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.369422

2. Mechanism of charge transfer in n-CdS/p-CdTe heterojunctions

   S. A. Muzafarova, Ш. А. Мирсагатов, J. Janabergenov

   СтатьяChalcogenide Semiconductor Thin FilmsPhysics of the Solid State2007Цитирований: 10

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.200867

3. The electrical properties of n-CdS/p-CdTe and n-ZnS/p-CdTe heterojunctions fabricated by a combination of SILAR and vacuum deposition techniques

   V.K. Ashith, K. Priya, Gowrish K. Rao

   Статья2021Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.393718

4. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.700178

5. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.700179

6. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.700180

7. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.700181

8. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.700182