Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 11

Работа: Temperature Dependences of the Sputtering of Negative Silicon Cluster Ions

1. Secondary-ion emission probability in sputtering

   Jens K. Nørskov, Bengt I. Lundqvist

   Статья1979Цитирований: 6

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.353983

2. Clusters sputtered from tungsten

   G. Staudenmaier

   Статья1972Цитирований: 5

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.366497

3. A model calculation of the neutral molecule emission by sputtering processes

   W. Gerhard

   Статья1975Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.485728

4. On the mechanism of cluster emission in sputtering

   K. Wittmaack

   Статья1979Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.490982

5. Энергетический порог атомарного и кластерного распыления некоторых элементов при бомбардировке ионами Cs, Rb, Na

   Р. Джаббарганов, Б. Г. Атабаев, З. А. Исаханов +1

   Статья2019Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.643692

6. Энергетическая и температурная зависимость вторичной ионной эмиссии кластеров GaN/SiC при бомбардировке ионами цезия

   Б.Г. Атабаев, Р. Джаббарганов, М. Х. Ахмаджонова +1

   Статья2021Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.643693

7. Surface investigation of solids by the statical method of secondary ion mass spectroscopy (SIMS)

   A. Benninghoven

   Статья1973Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.643688

8. Emission mechanisms of titanium oxide ions during sputtering

   Ming L. Yu

   Статья1981Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.643689

9. Secondary ion yield variations due to cesium implantation in silicon

   K. Wittmaack

   Статья1983Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.643690

10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.643687

11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.643691