Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 13

Работа: Effect of Be Co-Doping on Anisotropy of Magnetoresistance in GaMnAs Epitaxial Layers

  1. Physics of Semiconductor Devices

    Samarth Jain, S. Radhakrishna

    Статья1987Цитирований: 15
    ABI

  2. Metal–insulator transition and magnetotransport in III–V compound diluted magnetic semiconductors

    Y. Iye, A. Oiwa, Akira Endo +5

    Статья1999Цитирований: 4
    ABI

  3. Anisotropy of Negative Magnetoresistance in GaMnAs Epitaxial Layers

    A. S. Gazizulina, Aslan Nasirov, A. A. Nebesniy +2

    СтатьяZnO doping and propertiesSemiconductors2021Цитирований: 3
    ABI

  4. Magnetic anisotropy investigations of (Ga,Mn)As with a large epitaxial strain

    Piotr Juszyński, Marta Gryglas-Borysiewicz, Jacek Szczytko +4

    Статья2015Цитирований: 3
    ABI

  5. Uniaxial in-plane magnetic anisotropy of Ga1−xMnxAs

    U. Welp, V. K. Vlasko‐Vlasov, Andreas Menzel +4

    Статья2004Цитирований: 3
    ABI

  6. Effects of film thickness and annealing on the magnetic properties of GaMnAsP ferromagnetic semiconductor

    Jihoon Chang, Seonghoon Choi, Kyung Jae Lee +7

    Статья2019Цитирований: 2
    ABI

  7. Без названия

    ДругоеЦитирований: 2
    ABI

  8. Temperature-induced transition of magnetic anisotropy between in-plane and out-of-plane directions in GaMnAs film

    Sangyeop Lee, Sangyeop Lee, Seonghoon Choi +7

    Статья2016Цитирований: 2
    ABI

  9. Anisotropy of magnetoresistance in Be Co-doped GaMnAs

    P. B. Parchinskiy, Fucheng Yu, P. Sekar +1

    СтатьяZnO doping and propertiesJournal of Magnetism and Magnetic Materials2008Цитирований: 1
    ABI

  10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI