Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 3

Работа: Pressure as the device for changing electric parameters of Schottky diodes based on Si mono crystal

1. Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor

   С. И. Власов

   СтатьяAdvanced Materials and Semiconductor TechnologiesSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics2010Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2010.article.000171

2. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.716263

3. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.716264