Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 17

Работа: Numerical calculation of the probability of an electronic transition in a two-barrier heterostructure by a thin nanolayer

1. Electronic States in Semiconductor Heterostructures

   G. Bastard, J. A. Brum, R. Ferreira

   Глава1991Цитирований: 5

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.383188

2. Electron mobility and drift velocity in selectively doped InAlAs/InGaAs/InAlAs heterostructures

   И. С. Васильевский, Г. Б. Галиев, E. A. Klimov +7

   Статья2011Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.559403

3. InAs inserted InGaAs buried channel metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors with atomic-layer-deposited gate dielectric

   Fei Xue, Han Zhao, Yen‐Ting Chen +3

   Статья2011Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.559405

4. Structural and electrical properties of quantum wells with nanoscale InAs inserts in In y Al1 − y As/In x Ga1 − x As heterostructures on InP substrates

   А. Л. Васильев, И. С. Васильевский, Г. Б. Галиев +6

   Статья2011Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.559406

5. Submicron Gate-Fitted Superconducting Junction Using a Two-Dimensional Electron Gas

   Hideaki Takayanagi, Tatsushi Akazaki

   Статья1995Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.559408

6. Specific features of the photoluminescence of HEMT nanoheterostructures containing a composite InAlAs/InGaAs/InAs/InGaAs/InAlAs quantum well

   Г. Б. Галиев, И. С. Васильевский, E. A. Klimov +4

   Статья2015Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.559410

7. Electron mobility and effective mass in composite InGaAs quantum wells with InAs and GaAs nanoinserts

   Д. С. Пономарев, И. С. Васильевский, Г. Б. Галиев +4

   Статья2012Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.559412

8. Analysis of nanometer-scale InGaAs/InAs/InGaAs composite channel MOSFETs using high-K dielectrics for high speed applications

   J. Ajayan, D. Nirmal, P. Prajoon +1

   Статья2017Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.559413

9. Enhanced room-temperature 3.5 µm photoluminescence in stress-balanced metamorphic In(Sb,As)/In(Ga,Al)As/GaAs quantum wells

   M. Yu. Chernov, Victor A. Solov’ev, O. S. Komkov +6

   Статья2017Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.559414

10. Metamorphic InAs(Sb)/InGaAs/InAlAs nanoheterostructures grown on GaAs for efficient mid-IR emitters

    S. V. Ivanov, M. Yu. Chernov, В. А. Соловьев +3

    Статья2018Цитирований: 2

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.559416

11. Performance Analysis of InP based Composite Channel e-mode HEMT Device for High Frequency Applications

    Murali Krishna, M M Rahool, K. Dinesh Kumar +2

    Статья2021Цитирований: 2

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.559417

12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.559404

13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.559407

14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.559409

15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.559411

16. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.559415

17. Electron eigenvalues in quantum well of AlAs/InxGa1−xAs/AlAs heterostructures with InAs nanoinserts

    Paziljon Baymatov, Bakhrom Abdulazizov, Makhmudjon Tokhirjonov

    СтатьяSemiconductor Quantum Structures and DevicesThe European Physical Journal B2023Цитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.559418