Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseскороОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 20

Работа: SiC plasma characterization produced by 3 ns pulse laser at 10 <sup>10</sup> W/cm <sup>2</sup> intensity

  1. Status of silicon carbide (SiC) as a wide-bandgap semiconductor for high-temperature applications: A review

    Jeff B. Casady, Wayne Johnson

    Обзорная статья1996Цитирований: 4
    ABI

  2. Tantalum ions produced by 1064 nm pulsed laser irradiation

    L. Torrisi, S. Gammino, L. Andò +1

    Статья2002Цитирований: 3
    ABI

  3. Corpuscular diagnostics and processing methods applied in investigations of laser-produced plasma as a source of highly ionized ions

    E. Woryna, P. Parys, J. Wołowski +1

    Статья1996Цитирований: 3
    ABI

  4. D-D nuclear fusion processes induced in polyethylene foams by TW Laser-generated plasma

    L. Torrisi, M. Cutroneo, S. Cavallaro +1

    Статья2015Цитирований: 2
    ABI

  5. Radiation Resistance of Silicon Carbide Schottky Diode Detectors in D-T Fusion Neutron Detection

    Linyue Liu, Ao Liu, Song Bai +3

    Статья2017Цитирований: 2
    ABI

  6. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  7. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  8. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  9. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  16. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  17. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  18. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  19. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  20. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI