Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseскороОткрытый API экосистемы
Латиница
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 13

Работа: Current Mechanisms in Zinc Diffusion-Doped Silicon Samples at T = 300 K

  1. The electrical properties of zinc in silicon

    Sharon M. Weiss, R. Beckmann, Rainer Kassing

    Статья1990Цитирований: 3
    ABI

  2. Carrier transport mechanisms in semiconductor nanostructures and devices

    M. A. Rafiq

    Статья2018Цитирований: 3
    ABI

  3. Diffusion and Electrical Behavior of Zinc in Silicon

    C. S. Fuller, François Morin

    Статья1957Цитирований: 3
    ABI

  4. Mechanisms of Current Transition in High Compensated Silicon Samples with Zinc Nanoclusters

    E.U. Arzikulov, M. Radzhabova, Sh. J. Quvondiqov +1

    СтатьяSilicon Nanostructures and PhotoluminescenceEast European Journal of Physics2023Цитирований: 2
    ABI

  5. Current-Transport Mechanisms of the Al/(Bi2S3-PVA Nanocomposite)/p-Si Schottky Diodes in the Temperature Range Between 220 K and 380 K

    Sana Boughdachi, Yosef Badalı, Yashar Azizian‐Kalandaragh +1

    Статья2018Цитирований: 2
    ABI

  6. Current Understanding of the Fundamental Mechanisms of Doped and Loaded Semiconducting Metal-Oxide-Based Gas Sensing Materials

    David Degler, Udo Weimar, Nicolae Bârsan

    Обзорная статья2019Цитирований: 2
    ABI

  7. Oncurrent-voltage and capacitance-voltage characteristics of metal-semiconductor contacts

    A. Türüt

    Статья2020Цитирований: 2
    ABI

  8. Tunneling via surface dislocation in W/β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> Schottky barrier diodes

    Madani Labed, Ji Young Min, Amina Ben Slim +4

    Статья2023Цитирований: 2
    ABI

  9. Determining the potential barrier presented by the interfacial layer from the temperature induced I–V characteristics in Al/p-Si Structure with native oxide layer

    Muhammed Can ÖZDEMİR, Ömer Sevgi̇li̇, İkram Orak +1

    Статья2020Цитирований: 2
    ABI

  10. Infrared spectroscopy of the neutral zinc double-acceptor in silicon

    E. Merk, James Heyman, E. E. Häller

    Статья1989Цитирований: 2
    ABI

  11. Local laser-induced solid-phase recrystallization of phosphorus-implanted Si/SiGe heterostructures for contacts below 4.2 K

    Malte Neul, Isabelle V. Sprave, Laura K. Diebel +6

    Статья2024Цитирований: 2
    ABI

  12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI