Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 10

Работа: Current Mechanisms in Zinc Diffusion-doped Silicon Samples at T = 300 K

1. Current Injection in Solids

   A. M. Stoneham

   Статья1970Цитирований: 27

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.262325

2. Без названия

   ДругоеЦитирований: 19

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.167858

3. Concepts in photoconductivity and allied problems

   Статья1964Цитирований: 10

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.239767

4. The electrical properties of zinc in silicon

   Sharon M. Weiss, R. Beckmann, Rainer Kassing

   Статья1990Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.557535

5. Carrier transport mechanisms in semiconductor nanostructures and devices

   M. A. Rafiq

   Статья2018Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.557537

6. Diffusion and Electrical Behavior of Zinc in Silicon

   C. S. Fuller, François Morin

   Статья1957Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.655088

7. Mechanisms of Current Transition in High Compensated Silicon Samples with Zinc Nanoclusters

   Э. У. Арзикулов, M. Radzhabova, Sh. J. Quvondiqov +1

   СтатьяSilicon Nanostructures and PhotoluminescenceEast European Journal of Physics2023Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2023.article.002686

8. Без названия

   ДругоеЦитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.286064

9. Infrared spectroscopy of the neutral zinc double-acceptor in silicon

   E. Merk, James Heyman, E. E. Häller

   Статья1989Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.730900

10. Local laser-induced solid-phase recrystallization of phosphorus-implanted Si/SiGe heterostructures for contacts below 4.2 K

    Malte Neul, Isabelle V. Sprave, Laura K. Diebel +6

    Статья2024Цитирований: 2

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.730901