Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
Препринт

Current Mechanisms in Zinc Diffusion-doped Silicon Samples at T = 300 K

Э. У. АрзикуловSamarkand State UniversityM. RadzhabovaSamarkand State UniversityS. N.Samarkand State UniversityN. MamatkulovSamarkand State University Veterinary Medicine, Livestock and BiotechnologiesSh. J. QuvondiqovSamarkand State UniversityVasiliy PelenovichWuhan UniversityBing YangWuhan University
Research Squarerepository2024en
ABI

Аннотация

Аннотация отсутствует.

Темы

Advancements in Semiconductor Devices and Circuit DesignSilicon and Solar Cell TechnologiesSemiconductor materials and interfaces

Идентификаторы

DOI
10.21203/rs.3.rs-4421869/v1

Цитирования и источники

Цитирований: 0Использованных источников: 10
Показатели — AkademScholar