Работы, на которые ссылается эта работа
Работ: 55
Работа: Enhanced optical properties of <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" altimg="si48.svg" display="inline" id="d1e782"> <mml:mi>β</mml:mi> </mml:math> -Ga <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" altimg="si49.svg" display="inline" id="d1e787"> <mml:msub> <mml:mrow/> <mml:mrow> <mml:mn>2</mml:mn> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:math> O <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" altimg="si89.svg" display="inline" id="d1e795"> <mml:msub> <mml:mrow/> <mml:mrow> <mml:mn>3</mml:mn> <mml:mo>−</mml:mo> <mml:mi>x</mml:mi> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:math> S <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" altimg="si51.svg" display="inline" id="d1e808"> <mml:msub> <mml:mrow/> <mml:mrow> <mml:mi>x</mml:mi> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:math> : A DFT study
Special points for Brillouin-zone integrations
Hendrik J. Monkhorst, J.D. Pack
Статья1976Цитирований: 60ABISemiempirical GGA‐type density functional constructed with a long‐range dispersion correction
Статья2006Цитирований: 42ABIQuantumATK: an integrated platform of electronic and atomic-scale modelling tools
Søren Smidstrup, Troels Markussen, Pieter Vancraeyveld +19
Статья2019Цитирований: 8ABIStrong Valence-Band Offset Bowing of<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:msub><mml:mi>ZnO</mml:mi><mml:mrow><mml:mn>1</mml:mn><mml:mo>−</mml:mo><mml:mi>x</mml:mi></mml:mrow></mml:msub><mml:msub><mml:mi mathvariant="normal">S</mml:mi><mml:mi>x</mml:mi></mml:msub></mml:math>Enhances<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:mi>p</mml:mi></mml:math>-Type Nitrogen Doping of ZnO-like Alloys
Clas Persson, Charlotte Platzer‐Björkman, Jonas Malmström +2
Статья2006Цитирований: 4ABIA review of Ga2O3 materials, processing, and devices
S. J. Pearton, Jiancheng Yang, Patrick H. Cary +4
Обзорная статья2018Цитирований: 4ABIUltrawide‐Bandgap Semiconductors: Research Opportunities and Challenges
J. Y. Tsao, Srabanti Chowdhury, M.A. Hollis +30
Статья2017Цитирований: 3ABIRecent progress in Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>power devices
Masataka Higashiwaki, Kohei Sasaki, Hisashi Murakami +5
Статья2016Цитирований: 3ABIBrillouin zone and band structure of β‐Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>
Hartwin Peelaers, Chris G. Van de Walle
Статья2015Цитирований: 2ABIStructural properties and bandgap bowing of ZnO1−xSx thin films deposited by reactive sputtering
Bertrand Meyer, A. Polity, B. Farangis +4
Статья2004Цитирований: 2ABI