Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 27

Работа: Self-heating-induced junctionless stacked nanosheet FET RF stability performance degradation analysis and optimization

1. Stacked nanosheet gate-all-around transistor to enable scaling beyond FinFET

   N. Loubet, Terence B. Hook, P. Montanini +61

   Статья2017Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.447594

2. Systematic DC/AC Performance Benchmarking of Sub-7-nm Node FinFETs and Nanosheet FETs

   Jun-Sik Yoon, Jinsu Jeong, Seunghwan Lee +1

   Статья2018Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.374700

3. Impact of geometrical parameters and substrate on analog/RF performance of stacked nanosheet field effect transistor

   V. Jegadheesan, K. Sivasankaran, Aniruddha Konar

   Статья2019Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.374701

4. Fabrication and Characterization of Stacked Poly-Si Nanosheet With Gate-All-Around and Multi-Gate Junctionless Field Effect Transistors

   Meng‐Ju Tsai, Kang-Hui Peng, Chong-Jhe Sun +5

   Статья2019Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.374702

5. Optimized Substrate for Improved Performance of Stacked Nanosheet Field-Effect Transistor

   V. Jegadheesan, K. Sivasankaran, Aniruddha Konar

   Статья2020Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.374707

6. A Comprehensive Investigation of Vertically Stacked Silicon Nanosheet Field Effect Transistors: an Analog/RF Perspective

   Shubham Tayal, J. Ajayan, L. M. I. Leo Joseph +4

   Статья2021Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.374712

7. Analysis of Novel Core-Shell Junctionless Nanosheet FET for CMOS Logic Applications

   Vakkalakula Bharath Sreenivasulu, M. Prasad, Epuri Deepthi +2

   Статья2024Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.775701

8. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.775683

9. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.775684

10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.775685

11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.775686

12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.775687

13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.775688

14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.775689

15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.775690

16. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.775691

17. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.775692

18. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.775693

19. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.775694

20. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.775695

21. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.775696

22. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.775697

23. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.775698

24. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.775699

25. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.775700