Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 20

Работа: Preparation and Structure of Solid Solutions (Ge2)1−x–y(GaAs)x(ZnSe)y

1. Thermal stress analysis of crystal growth in a horizontal Bridgman furnace

   Gregory Young, Karen A. McDonald, Ahmet Palazoğlu

   Статья1997Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.814231

2. Features of growing Si- and Si_1-<i>x</i>Ge_<i>x</i>-single-crystal films from solution-melt based on tin

   A. Sh. Razzokov, А. С. Саидов, V. V. Gіrzhon +1

   СтатьяSilicon Nanostructures and PhotoluminescenceJournal of Physical Studies2022Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2022.article.000838

3. Liquid-phase epitaxy of GaAsZnSeGa2Se3 alloy crystals on a ZnSe substrate

   Masanori Kaji, Fumiyasu Kadotsuji, Masakazu Kimura +2

   Статья1997Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.458745

4. Composition-dependent perfect band gap tuning of ZnS1-x Sex solid solutions for efficient photocatalysis

   Wanxia Huang, Suxiang Ge, Yan Lei +1

   Статья2019Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.458749

5. Epitaxial growth of metastable semiconductor alloys

   G. B. Stringfellow

   Статья2021Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.458751

6. Deviation of the AlGaAs lattice constant from Vegard's law

   Daibing Zhou, B. F. Usher

   Статья2001Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.814229

7. On the Theory of Interfacial Energy and Elastic Strain of Epitaxial Overgrowths in Parallel Alignment on Single Crystal Substrates

   W. A. Jesser, D. Kuhlmann‐Wilsdorf

   Статья1967Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.814440

8. Misfit dislocations in semiconductors

   D. B. Holt

   Статья1966Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.814444

9. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.814438

10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.814439

11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.814441

12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.814442

13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.814443

14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.814445

15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.814446

16. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.814447

17. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.814448

18. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.814449

19. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.814450

20. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.814451