YUQORI HARORATLARDA (800–1200 °C) GERMANIYNING KREMNIYDA DIFFUZIYA JARAYONLARINI TADQIQ QILISH
Baxromjon Abdukaxxarovich AbduraxmanovToshkent davlat texnika universiteti o'qituvchisiG'iyosiddin Abdivahob oʻgʻli KushiyevToshkent davlat texnika universiteti o'qituvchisiDavlatbek Davronbekovich MatyakubovToshkent davlat texnika universiteti tayanch doktorantiShaxnoza Rustamovna IsmailovaUrganch davlat universiteti o'qituvchisi
ABI
Аннотация
Ushbu maqolada germaniyning (Ge) kremniy (Si) substratiga (100 Ω·cm, n-turi) 800–1200°C oralig'ida diffuziyasi Synopsys Sentaurus TCAD yordamida modellashtirildi. Jarayon Fikkning ikkinchi qonuni va komplementar xato funksiyasi asosida, Arrhenius parametrlaridan (D0 = 7,55×10³ sm²/s, Eₐ = 5,08 eV) foydalangan holda tahlil qilindi. Natijalar shuni ko'rsatdiki, 900°C dan pastda diffuziya juda sekin (1 nm dan kam). Sezilarli diffuziya 1000°C dan yuqorida kuzatilib, 1000°C da 27,6 nm va 1200°C da 638,8 nm ga yetadi. Yuqori aktivatsiya energiyasi vakansiya mexanizmini tasdiqlaydi va bu natijalar Ge-Si qurilmalari uchun muhimdir.
Перевод пока недоступен
Темы
Идентификаторы
Цитирования и источники
Цитирований: 0Использованных источников: 0