Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 29

Работа: Defect-engineered resistive switching and NDR behavior in Mn-doped SnO2 memristors

  1. The missing memristor found

    Dmitri B. Strukov, Gregory S. Snider, Duncan R. Stewart +1

    Статья2008Цитирований: 11
    ABI
  2. Memristor-The missing circuit element

    Leon O. Chua

    Статья1971Цитирований: 8
    ABI
  3. Memristive devices for computing

    J. Joshua Yang, Dmitri B. Strukov, Duncan R. Stewart

    Статья2012Цитирований: 6
    ABI
  4. Nanoionics-based resistive switching memories

    Rainer Waser, Masakazu Aono

    Статья2007Цитирований: 5
    ABI
  5. Redox‐Based Resistive Switching Memories – Nanoionic Mechanisms, Prospects, and Challenges

    Rainer Waser, Regina Dittmann, G. Staikov +1

    Обзорная статья2009Цитирований: 4
    ABI
  6. Без названия

    ДругоеЦитирований: 4
    ABI
  7. In-memory computing with resistive switching devices

    Daniele Ielmini, H.‐S. Philip Wong

    Статья2018Цитирований: 3
    ABI
  8. Effect of Mn doping on the structural and optical properties of SnO2 nanoparticles

    Ameer Azam, Arham S. Ahmed, Sami S. Habib +1

    Статья2012Цитирований: 2
    ABI
  9. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  16. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI