Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Сервисы

← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 52

Работа: Enhanced Ni/Cu/n-GaN Schottky junctions via Fe2O3:Bi2O3 nanocomposite interfacial engineering

  1. Physics of Semiconductor Devices

    Simon M. Sze, Kwok K. Ng

    Книга2006Цитирований: 39
    ABI

  2. A modified forward <i>I</i>-<i>V</i> plot for Schottky diodes with high series resistance

    H. Norde

    Статья1979Цитирований: 5
    ABI

  3. Extraction of Schottky diode parameters from forward current-voltage characteristics

    S. K. Cheung, N.W. Cheung

    Статья1986Цитирований: 3
    ABI

  4. Без названия

    ДругоеЦитирований: 2
    ABI

  5. Без названия

    ДругоеЦитирований: 2
    ABI

  6. Без названия

    ДругоеЦитирований: 2
    ABI

  7. Без названия

    ДругоеЦитирований: 2
    ABI

  8. Без названия

    ДругоеЦитирований: 2
    ABI

  9. Без названия

    ДругоеЦитирований: 2
    ABI

  10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 2
    ABI

  11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 2
    ABI

  12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 2
    ABI

  13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 2
    ABI

  14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 2
    ABI

  15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 2
    ABI

  16. Без названия

    ДругоеЦитирований: 2
    ABI

  17. Без названия

    ДругоеЦитирований: 2
    ABI

  18. Без названия

    ДругоеЦитирований: 2
    ABI

  19. Без названия

    ДругоеЦитирований: 2
    ABI

  20. Без названия

    ДругоеЦитирований: 2
    ABI

  21. Tuning barrier height and enhancing electrical properties of MOS heterojunctions using Fe2O3 doped MoO3 nanocomposite interlayer on Ni/Cr/n-GaN for optoelectronic devices

    Karri Aswini, Chaitanya Kumar Kunapalli, K. Munirathnam +7

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesPhysica B Condensed Matter2025Цитирований: 1
    ABI

  22. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  23. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  24. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  25. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI