Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 10

Работа: Electronic structure of Ga1–x Al x As nanostructures grown on the GaAs surface by ion implantation

  1. Electron spectroscopy of the nanostructures created in Si, GaAs, and CaF2 surface layers using low-energy ion implantation

    Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова, D. M. Muradkabilov +1

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesTechnical Physics2013Цитирований: 19
    ABI

  2. Analysis of the structure and properties of heterostructured nanofilms prepared by epitaxy and ion implantation methods

    Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова, М. К. Рузибаева +3

    СтатьяMetal and Thin Film MechanicsTechnical Physics2013Цитирований: 15
    ABI

  3. Molecular Beam Epitaxy and Heterostructures

    Leroy L. Chang, K. H. Ploog

    Книга1985Цитирований: 9
    ABI

  4. Superstructured ordering in Al x Ga1 − x As and Ga x In1 − x P alloys

    П. В. Середин, �. P. Domashevskaya, I. N. Arsentyev +3

    Статья2013Цитирований: 6
    ABI

  5. Semiconductor lasers with internal wavelength selection

    V. V. Zolotarev, A. Yu. Leshko, A. V. Lyutetskiĭ +10

    Статья2013Цитирований: 3
    ABI

  6. Temperature-dependent excitonic absorption in long-period multiple In x Ga1 − x As/GaAs quantum well structures

    S. A. Vaganov, R. P. Seĭsyan

    Статья2011Цитирований: 2
    ABI

  7. Lateral photoconductivity of AlGaAs/InGaAs structures with quantum wells and self-organized quantum dots under interband illumination

    O. A. Shegaǐ, A. K. Bakarov, A. K. Kalagin +1

    Статья2005Цитирований: 2
    ABI

  8. First-principle calculations of electronic and positronic properties of AlGaAs2

    S. Laref, S. Méçabih, B. Abbar +2

    Статья2007Цитирований: 2
    ABI

  9. Trapping of charge carriers into InAs/AlAs quantum dots at liquid-helium temperature

    D. S. Abramkin, К. С. Журавлев, Т. С. Шамирзаев +2

    Статья2011Цитирований: 2
    ABI

  10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI