Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 6

Работа: Analysis of the structure and properties of heterostructured nanofilms prepared by epitaxy and ion implantation methods

1. Obtaining of epitaxial films of metal silicides by ion implantation and molecular beam epitaxy

   Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова, E.U. Boltaev +1

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesMaterials Science and Engineering B2003Цитирований: 14

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2003.article.000028

2. Heterojunctions and Metal Semiconductor Junctions

   Книга1972Цитирований: 14

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.215219

3. Molecular Beam Epitaxy and Heterostructures

   Leroy L. Chang, K. H. Ploog

   Книга1985Цитирований: 9

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.203256

4. Semiconductor Surfaces and Interfaces

   F. Bechstedt, R. Enderlein, R. Enderlein

   Книга1988Цитирований: 5

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.203261

5. Semiconductor Surfaces and Interfaces

   Winfried Mönch

   Книга1993Цитирований: 4

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.203257

6. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.225130