← Назад к работе
Работы, цитирующие эту работу
Работ: 4
Работа: The dependence of the parameters of energy bands on the depth of the ion-doped layer for Si implanted with ions Ba+
Продукты
Для разработчиков
AkademBaseОткрытый API экосистемыРабот: 4
Работа: The dependence of the parameters of energy bands on the depth of the ion-doped layer for Si implanted with ions Ba+