Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 3

Работа: Lifetime specifics of nonequilibrium carriers in photoelectric cells based on gallium arsenide obtained via the Czochralski method

1. Thermovoltaic processes in gallium arsenide doped with tin

   A. Yu. Leĭderman, А. С. Саидов, M. M. Hashaev +1

   СтатьяChalcogenide Semiconductor Thin FilmsApplied Solar Energy2012Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.538373

2. Optical Properties of <i>n</i>-Type GaAs. II. Formation of Efficient Hole Traps during Annealing in Te-Doped GaAs

   C. J. Hwang

   Статья1969Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.538138

3. Evidence for Self-Activated Luminescence in GaAs: The Gallium Vacancy-Donor Center

   E. W. Williams

   Статья1968Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.538140