Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 5

Работа: Peculiarities of photosensitivity of n(GaAs)–p(GaAs)1–x–y (ZnSe) x (Ge2) y structures with quantum dots

1. Constitution of Binary Alloys

   Max Hansen, K. Anderko, H. W. Salzberg

   Статья1958Цитирований: 26

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.369423

2. Liquid-phase epitaxy of solid solutions (Ge2)1−x(ZnSe)x

   А. С. Саидов, A. Sh. Razzakov, V.A. Risaeva +1

   СтатьяChalcogenide Semiconductor Thin FilmsMaterials Chemistry and Physics2001Цитирований: 25

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.369422

3. Silicon-based photocells of enhanced spectral sensitivity with nano-sized graded band gap structures

   М. К. Бахадырханов, С. Б. Исамов, Х. М. Илиев +2

   СтатьяSilicon Nanostructures and PhotoluminescenceApplied Solar Energy2014Цитирований: 10

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.184731

4. X-ray diffraction diagnostics methods as applied to highly doped semiconductor single crystals

   I. L. Shul’pina, R. N. Kyutt, В. В. Ратников +3

   Статья2010Цитирований: 9

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.378324

5. Improvement of life time of minority carriers in GaAs epi-layer grown on Ge substrate

   Ken Takahashi, Shigeki Yamada, Ryuichi Nakazono +4

   Статья1998Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.498636