Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 27

Работа: Positron probing of open vacancy volume of phosphorus‐vacancy complexes in float‐zone n‐type silicon irradiated by 0.9‐MeV electrons and by 15‐MeV protons

  1. Positron Annihilation in Semiconductors

    R. Krause‐Rehberg, Hartmut S. Leipner

    Книга1999Цитирований: 6
    ABI
  2. Atomic Environment of Positrons Annihilating in HT Cz-Si Crystal

    N.Yu. Arutyunov, V. V. Emtsev

    Статья2005Цитирований: 3
    ABI
  3. Atomic Environment of Positrons Annihilating in Different Parts of Cz-Si Single Crystal

    N.Yu. Arutyunov, R. Krause‐Rehberg

    Статья2003Цитирований: 3
    ABI
  4. Momentum distributions of electron-positron pairs annihilating at vacancy clusters in Si

    Mikko Hakala, M. J. Puska, R. M. Nieminen

    Статья1998Цитирований: 3
    ABI
  5. Production of Divacancies and Vacancies by Electron Irradiation of Silicon

    J. W. Corbett, G. D. Watkins

    Статья1965Цитирований: 3
    ABI
  6. Stability of large vacancy clusters in silicon

    Torsten E.M. Staab, A. Sieck, M. Haugk +3

    Статья2002Цитирований: 2
    ABI
  7. Vacancies and vacancy-oxygen complexes in silicon: Positron annihilation with core electrons

    J. Kuriplach, A.L. Morales, C. Dauwe +2

    Статья1998Цитирований: 2
    ABI
  8. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  9. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI