Работы, цитирующие эту работу

Работ: 1

1. Mathematical Modeling of Incomplete Ionization in Radial p-Si/n-GaAs Heterojunctions: Temperature and Doping Effects

   Jo`shqin Abdullayev, I. B. Sapaev, Jonibek Sh. Abdullayev +3

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesJournal of Electronic Materials2025Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2025.article.001352