Работы, цитирующие эту работу

Работ: 2

Работа: Temperature-dependent excitonic absorption in long-period multiple In x Ga1 − x As/GaAs quantum well structures

1. Electronic structure of Ga1–x Al x As nanostructures grown on the GaAs surface by ion implantation

   S. B. Donaev, Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова

   СтатьяIon-surface interactions and analysisTechnical Physics2015Цитирований: 13

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.095299

2. MATHEMATICAL MODELING OF TEMPERATURE EFFECT ON THE FAN CHART OF MAGNETOABSORPTION SPECTRUM IN SEMICONDUCTORS

   G. Gulyamov, У. И. Эркабоев, A. G. Gulyamov

   СтатьяSemiconductor Quantum Structures and DevicesAlternative Energy and Ecology (ISJAEE)2019Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2019.article.001075