Статья

Ideal 4H-SiC pn junction and its characteristic shunt

Anatoly M. Strel’chukA.F. Ioffe Physico-Technical Institute Russian Academy of Science, Politechnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, RussiaN.S. SavkinaA.F. Ioffe Physico-Technical Institute Russian Academy of Science, Politechnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, Russia

2001en

ABI

Аннотация

Аннотация отсутствует.

Идентификаторы

DOI: 10.1016/s0921-5107(00)00602-4

Цитирования и источники

Цитирований: 3Использованных источников: 0

Показатели — AkademScholar